參數(shù)資料
型號(hào)： S29JL032H60TAI222
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
中文描述： 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48
封裝： MO-142DD, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 50/66頁(yè)
文件大?。?/td> 1556K
代理商： S29JL032H60TAI222
50
S29JL032H
S29JL032HA11 2005
年
3
月
9
日
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
テスト條件
表
15.
テスト仕様
波形切替えのポイント
テスト條件
60
70, 90
単位
出力負(fù)荷
TTL
ゲート
1
個(gè)
出力負(fù)荷容量，
C
L
（冶具容量を含む）
30
100
pF
入力パルス立上り時(shí)間
/
立下り時(shí)間
5
ns
入力パルスレベル
0.0
または
Vcc
V
入力タイミング測(cè)定基準(zhǔn)レベル
0.5 Vcc
V
出力タイミング測(cè)定基準(zhǔn)レベル
0.5 Vcc
V
2.7 k
W
C
L
6.2 k
W
3.3 V
テスト中
の
デバイス
注：ダイオードは，
IN3064
または相當(dāng)品とします。
11.
図
測(cè)定條件
波形
入力
出力
確定
H
L
変化點(diǎn)
L
H
変化點(diǎn)
任意，変化を許容
変化，狀態(tài)未確定
適用せず
中心線は高インピーダンス?fàn)顟B(tài)（
High Z
）
Vcc
0.0 V
0.5 Vcc
0.5 Vcc
図
12.
入力波形と測(cè)定レベル
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29JL032H60TAI223 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI310 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI311 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI312 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI313 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29JL032H60TAI223 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI310 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI311 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI312 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI313 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
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