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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29JL032H60TAI211 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 32兆位CMOS 3.0V閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 50/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1556K |
| 代理商： | S29JL032H60TAI211 |
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50
S29JL032H
S29JL032HA11 2005
年
3
月
9
日
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
テスト條件
表
15.
テスト仕様
波形切替えのポイント
テスト條件
60
70, 90
単位
出力負(fù)荷
TTL
ゲート
1
個(gè)
出力負(fù)荷容量，
C
L
（冶具容量を含む）
30
100
pF
入力パルス立上り時(shí)間
/
立下り時(shí)間
5
ns
入力パルスレベル
0.0
または
Vcc
V
入力タイミング測(cè)定基準(zhǔn)レベル
0.5 Vcc
V
出力タイミング測(cè)定基準(zhǔn)レベル
0.5 Vcc
V
2.7 k
W
C
L
6.2 k
W
3.3 V
テスト中
の
デバイス
注：ダイオードは，
IN3064
または相當(dāng)品とします。
11.
図
測(cè)定條件
波形
入力
出力
確定
H
L
変化點(diǎn)
L
H
変化點(diǎn)
任意，変化を許容
変化，狀態(tài)未確定
適用せず
中心線は高インピーダンス?fàn)顟B(tài)（
High Z
）
Vcc
0.0 V
0.5 Vcc
0.5 Vcc
図
12.
入力波形と測(cè)定レベル
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TAI212 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI213 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI220 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI221 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI222 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TAI212 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI213 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI220 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI221 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI222 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
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