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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29JL032H60TAI211 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 32兆位CMOS 3.0V閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 37/66頁 |
| 文件大小： | 1556K |
| 代理商： | S29JL032H60TAI211 |
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2005
年
3
月
9
日
S29JL032HA11
S29JL032H
37
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
イレーズ動(dòng)作のアルゴリズムを図
4
に示します。パラメータについては，「
AC
特性」のセ
クションの「イレーズおよびプログラム動(dòng)作」の表を，タイミング図については，
図
19
を
參照してください。
セクタイレーズコマンドシーケンス
セクタイレーズは，
6
バスサイクル動(dòng)作になります。アンロックサイクル（
2
回）の後に，
プログラムセットアップコマンドをライトして，セクタイレーズコマンドシーケンスを開
始します。さらに，アンロックサイクル（
2
回）の後に，消去するセクタアドレスとセク
タイレーズコマンドを続けます。セクタイレーズコマンドシーケンスのアドレスおよび
データ條件を表
13
に示します。
イレーズの前にプリプログラムする必要はありません。自動(dòng)イレーズアルゴリズムが自動(dòng)
的にプログラムし，電気的な消去を行なう前に，セクタ全體がすべてゼロのデータパター
ンになっているかが検証されます。これらの動(dòng)作中，システム側(cè)からは制御やタイミング
を取る必要はありません。
コマンドシーケンスをライトすると，
80 μs
のセクタイレーズタイムアウトがスタートし
ます。このタイムアウト時(shí)間の間に，別のセクタアドレスとセクタイレーズコマンドをラ
イトすることができます。セクタイレーズバッファはどのシーケンスでもロードすること
ができ，セクタ數(shù)の範(fàn)囲は
1
セクタから全セクタまでの間となります。これらのサイクル
を追加する時(shí)間は
80 μs
未満でなければなりません。この時(shí)間を超えると，イレーズ動(dòng)作
が開始されます。タイムアウト時(shí)間を過ぎた後にライトされたセクタイレーズアドレスお
よびコマンドは，無視される場合があります。したがって，この時(shí)間の間はプロセッサの
割り込みを禁止して，コマンドをすべてライトできるようにしてください。最後のセクタ
イレーズコマンドをライトしたら，割り込みをイネーブルしてかまいません。
ンクはリードモードに戻ります。
したがって，システムはコマンドシーケンスと，他のア
ドレスやコマンドを再度ライトしなければなりません。
タイムアウ
ト時(shí)間內(nèi)にセクタイレーズまたはイレーズサスペンド以外のコマンドをライトすると，バ
システムは
DQ3
をモニタし，セクタイレーズタイマがタイムアウトしたかどうかを調(diào)べる
ことができます（「
DQ3
：セクタイレーズタイマ」のセクションを參照してください）。タ
イムアウトは，コマンドシーケンスの最後の
WE#
の立上り，または
CE#
パルス（の最初
の立上り）から始まります。
自動(dòng)イレーズアルゴリズムが完了すると，バンクはデータアレイのリード狀態(tài)に戻り，ア
ドレスはラッチされなくなります。自動(dòng)イレーズ動(dòng)作の実行中でも，システムはイレーズ
の対象となっていないバンクからデータをリードすることができます。システムは，
DQ7
，
DQ6
，
DQ2
，または
RY / BY#
をリードすることにより，イレーズ対象バンクのイレーズ
動(dòng)作の狀態(tài)を調(diào)べることができます。これらのステータスビットについては，「ライト動(dòng)作
ステータス」のセクションを參照してください。
いったん，セクタイレーズ動(dòng)作がスタートすると，実行可能なコマンドはイレーズサスペ
ンドコマンドのみとなります。これ以外のコマンドはすべて無視されます。ただし，
ドウェアリセット
を?qū)g行すると，直ちにイレーズ動(dòng)作が終了します。このような場合，バ
ンクがデータアレイのリード狀態(tài)に戻ったら，セクタイレーズコマンドシーケンスを再度
実行して，データの完全性を確保してください。また，イレーズ動(dòng)作中は，
SecSi
セクタ
機(jī)能，オートセレクト機(jī)能，および
CFI
機(jī)能は使用できません。
ハー
イレーズ動(dòng)作のアルゴリズムを図
4
に示します。パラメータについては，「
AC
特性」セク
ションの「イレーズおよびプログラム動(dòng)作」の表を，タイミング図については，
図
19
を
參照してください。
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TAI212 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI213 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI220 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI221 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI222 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TAI212 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI213 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI220 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI221 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI222 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
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