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參數(shù)資料
| 型號： | S29JL032H60TAI210 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 51/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 1556K |
| 代理商： | S29JL032H60TAI210 |
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2005
年
3
月
9
日
S29JL032HA11
S29JL032H
51
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC
特性
リードオンリ動作（注
1
）
注
:
1.
各パラメータの詳細なタイミングについてはタイミング図を參照してください。
2.
テスト仕様については，図
11
および表
15
を參照してください。
3.
データ端子に
50
Ω の終端抵抗を接続し，バイアス電圧
V
CC
/ 2
の條件で測定。
OE# High
から
V
CC
/ 2
駆動のデータバスまでの
時間を
t
DF
と想定。
.
パラメータ
説明
測定條件
スピードバージョン
JEDEC
標準
60
70
90
単位
t
AVAV
t
RC
リードサイクルタイム
最小値
60
70
90
ns
t
AVQV
t
ACC
アドレスから出力までの遅延
CE#,
OE# = V
IL
最大値
60
70
90
ns
t
ELQV
t
CE
チップイネーブルからデータ出力までの遅延
OE# = V
IL
最大値
60
70
90
ns
t
GLQV
t
OE
出力イネーブルから出力までの遅延
最大値
25
30
35
ns
t
EHQZ
t
DF
チップイネーブルから出力高インピーダンスまで
（注
3
）
最大値
16
ns
t
GHQZ
t
DF
出力イネーブルから出力高インピーダンスまで
（注
3
）
最大値
16
ns
t
AXQX
t
OH
前サイクルデータ出力保持時間，
CE#
または
OE#
（いずれか早い方）
最小値
0
ns
t
OEH
出力イネーブル保持時間
リード
最小値
0
ns
トグルおよび
Data#
ポーリング
最小値
5
10
ns
t
OH
t
CE
WE#
CE#
OE#
HIGH Z
HIGH Z
t
RC
t
ACC
t
OEH
t
RH
t
OE
t
RH
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
図
13.
リード動作タイミング
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TAI211 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI212 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI213 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI220 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI221 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TAI211 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI212 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI213 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI220 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI221 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
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