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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29JL032H60TAI210 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1556K |
| 代理商： | S29JL032H60TAI210 |
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2005
年
3
月
9
日
S29JL032HA11
S29JL032H
35
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
自動(dòng)プログラムアルゴリズムの実行中は，デバイスにライトされるコマンドはすべて無(wú)視
されます。ただし，
ハードウェアリセット
を?qū)g行すると，直ちにプログラム動(dòng)作が終了し
ます。バンクがリードモードに戻った場(chǎng)合は，プログラムコマンドシーケンスを再実行し
て，データの完全性を確保してください。また，プログラム動(dòng)作中は，
SecSi
セクタ機(jī)能，
オートセレクト機(jī)能，および
CFI
機(jī)能は使用できません。
プログラミングは，いずれの順?lè)扦?，また，セクタ境界を越えて実行することもできま
す。
ビットをプログラムして「
0
」から「
1
」に戻すことはできません。
このようにすると，
バンクは
DQ5 = 1
にセットされてしまうか，
DQ7
および
DQ6
ステータスビットの情報(bào)
が正常動(dòng)作を示すものになってしまいます。ただし，続けてリードを行なうと，データが
「
0
」のままであることがわかります?！?/div>
0
」を「
1
」に変更できるのは，イレーズ動(dòng)作のみ
となります。
アンロックバイパスコマンドシーケンス
アンロックバイパス機(jī)能を使用すると，通常のプログラムコマンドシーケンスを使用する
場(chǎng)合よりも，バイトまたはワードをバンクへプログラムするスピードが速くなります。ま
ず，アンロックサイクルを
2
回ライトして，アンロックバイパスコマンドシーケンスを開(kāi)
始します。この後，アンロックバイパスコマンド（
20h
）を入れたライトサイクル（
3
回
目）が続きます。この後，そのバンクはアンロックバイパスモードになります。このモー
ドでプログラムする必要があるのは，サイクル
2
回のアンロックバイパスプログラムコマ
ンドシーケンスのみとなります。このシーケンスの最初のサイクルでは，アンロックバイ
パスプログラムコマンド（
A0h
）を?qū)g行します。
2
番目のサイクルでは，プログラムアド
レスとデータを指定します。この後，データは同じ方法でプログラムします。このモード
では，通常のプログラムコマンドシーケンスで必要な最初のアンロックサイクル
2
回が不
要になりますので，トータルのプログラミング時(shí)間が短縮されます。
このコマンドシーケ
ンスの條件を表
13
に示します。
アンロックバイパスモードで使用できるコマンドは，アンロックバイパスプログラムコマ
ンドと，アンロックバイパスリセットコマンドのみとなります。アンロックバイパスモー
ドを終了するには，サイクル
2
回のアンロックバイパスリセットコマンドシーケンスを?qū)g
行します。（表
12
を參照してください）。
本デバイスは，
WP# / ACC
端子を使用したアクセラレーションプログラム動(dòng)作が可能で
す。システムが
WP# / ACC
端子に
V
HH
をアサートすると，デバイスは自動(dòng)的にアンロッ
クバイパスモードになります。そして，システムはサイクル
2
回のアンロックバイパスプ
ログラムコマンドシーケンスをライトできます。デバイスは
WP# / ACC
端子に高電圧を
與えられることによりプログラム動(dòng)作を高速化します。ただし，アクセラレーションプロ
グラミング以外の動(dòng)作を行なう場(chǎng)合は，
WP# / ACC
端子を
V
HH
にセットしないでくださ
い。他の動(dòng)作時(shí)の場(chǎng)合，デバイスに損傷を與えます。また，デバイスの動(dòng)作が不安定にな
りますので，
WP# / ACC
端子をフローティングまたは未接続のままにしないでください。
プログラム動(dòng)作のアルゴリズムを図
3
に示します。パラメータについては，「
AC
特性」の
セクションの「イレーズおよびプログラム動(dòng)作」の表を，タイミング図については，
図
17
を參照してください。
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TAI211 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI212 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI213 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI220 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI221 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TAI211 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI212 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI213 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI220 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI221 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
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