參數(shù)資料
型號： S29GL256M10TAIR13
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
中文描述： 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56
封裝： MO-142EC, TSOP-56
文件頁數(shù)： 145/160頁
文件大?。?/td> 2142K
代理商： S29GL256M10TAIR13
April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
145
P r e l i m i n a r y
Physical Dimensions
TS040—40-Pin Standard Thin Small Outline Package
Dwg rev AA; 10/99
相關PDF資料
PDF描述
S29GL256M10TAIR20 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL256M10TAIR22 MOSFET, Switching; VDSS (V): 200; ID (A): 0.5; Pch : -; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 1.6; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: 1.9; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 120; toff (µs) typ: -; Package: TSSOP-8
S29GL256M10TAIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL256M10TFIR10 MOSFET, Switching; VDSS (V): 60; ID (A): 6; Pch : 2?3?; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.028; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.04]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1000; toff (µs) typ: 0.06; Package: SOP-8
S29GL256M10TFIR12 MOSFET, Switching; VDSS (V): 60; ID (A): 6; Pch : 2/3; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.028; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.04]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1000; toff (µs) typ: 0.06; Package: SOP-8
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
S29GL256M11FAIR10 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
S29GL256M11FAIR12 制造商:Spansion 功能描述:256M (32MX8/16MX16) 3V REG, MIRRORBIT, FBGA64 IND - Trays
S29GL256M11FAIR2 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash, 16M x 16, 64 Pin, Plastic, BGA
S29GL256M11FAIR20 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
S29GL256M11FFIR10 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256Mbit 32M/16M x 8bit/16bit 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash Memory IC
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