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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128P10TAI012 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有90納米MirrorBit工藝技術 |
| 文件頁數(shù)： | 47/77頁 |
| 文件大小： | 2121K |
| 代理商： | S29GL128P10TAI012 |
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November 8, 2007 S29GL-P_00_A7
S29GL-P MirrorBit
Flash Family
47
D a t a
S h e e t
( P r e l i m i n a r y )
Figure 8.3
Lock Register Program Algorithm
Write Unlock Cycle
s
:
Addre
ss
555h, D
a
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a
AAh
Addre
ss
2AAh, D
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55h
Write
Enter Lock Regi
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Progr
a
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a
Addre
ss
XXXh, D
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A0h
Addre
ss
XXXh
*
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a
t
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PD
Unlock Cycle 1
Unlock Cycle 2
XXXh = Addre
ss
don
’
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(PD):
S
ee text for Lock Regi
s
ter definition
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C
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Lock regi
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PA
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ter
Exit Comm
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nd:
Addre
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XXXh, D
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90h
Addre
ss
XXXh, D
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00h
Device ret
u
rn
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y.
Perform Polling Algorithm
(
s
ee Write Oper
a
tion
S
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Ye
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Ye
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No
No
Done
DQ5 = 1
Error condition (Exceeded Timing Limit
s
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FAIL. Write re
s
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y.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128P10TAIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P10TAIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P10TAIV10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P90TFIV12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| STK435-xxx | THICK FILM HYBRID IC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128P10TAI020 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 100NS 56TSOP - Trays |
| S29GL128P10TFI010 | 功能描述:閃存 128Mb 3V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL128P10TFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:IC SM FLASH 3V 128MB 100NS |
| S29GL128P10TFI010-AU | 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL128P10TFI010-AU IC 128M PAGE-MO |
| S29GL128P10TFI012 | 制造商:Spansion 功能描述:IC 128M PAGE-MODE FLASH MEMORY - Trays |
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