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參數資料
| 型號： | S29GL032M11TCIR42 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO48 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP-48 |
| 文件頁數： | 20/160頁 |
| 文件大?。?/td> | 4727K |
| 代理商： | S29GL032M11TCIR42 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁當前第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁
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S29GLxxxM MirrorBitTM Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
Pr e l i m i n a r y
Figure 7. Data# Polling Algorithm
RY/BY#: Ready/Busy#
The RY/BY# is a dedicated, open-drain output pin which indicates whether an
Embedded Algorithm is in progress or complete. The RY/BY# status is valid after
the rising edge of the final WE# pulse in the command sequence. Since RY/BY#
is an open-drain output, several RY/BY# pins can be tied together in parallel with
a pull-up resistor to VCC.
If the output is low (Busy), the device is actively erasing or programming. (This
includes programming in the Erase Suspend mode.) If the output is high (Ready),
the device is in the read mode, the standby mode, or in the erase-suspend-read
mode. Table 33 shows the outputs for RY/BY#.
DQ7 = Data?
Yes
No
DQ5 = 1?
No
Yes
FAIL
PASS
Read DQ15–DQ0
Addr = VA
Read DQ15–DQ0
Addr = VA
DQ7 = Data?
START
Notes:
1. VA = Valid address for programming. During a sector
erase operation, a valid address is any sector address
within the sector being erased. During chip erase, a
valid address is any non-protected sector address.
2. DQ7 should be rechecked even if DQ5 = “1” because
DQ7 may change simultaneously with DQ5.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064A10BAIW12 | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| S29GL128N11FAIVH0 | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64 |
| S29GL128N11FFIVH2 | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64 |
| S29JL032J70TFI213 | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| S29PL032J65BFI150 | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 65 ns, PBGA56 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| S29GL032M90FACR20 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 32MBIT 4MX8/2MX16 90NS 64BGA - Trays |
| S29GL032M90FACR30 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL032M90TAIR40 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 32M-Bit 4M x 8/2M x 16 90ns 48-Pin TSOP Tray |
| S29GL032M90TFIR30 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 32M-Bit 4M x 8/2M x 16 90ns 48-Pin TSOP Tray |
| S29GL032M90TFIR40 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 32M-Bit 4M x 8/2M x 16 90ns 48-Pin TSOP Tray |
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