- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385795 > S29GL032M10FBCR50 (Spansion Inc.) MirrorBit Flash Family PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S29GL032M10FBCR50 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | MirrorBit Flash Family |
| 中文描述： | MirrorBit閃存系列 |
| 文件頁數(shù)： | 100/159頁 |
| 文件大?。?/td> | 2217K |
| 代理商： | S29GL032M10FBCR50 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁當前第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁
100
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00_B3 Octorber 18, 2004
D a t a s h e e t
Table 32. System Interface String
Note:
CFI data related to V
CC
and time-outs may differ from actual VCC and time-outs of the product. Please consult the Ordering
Information tables to obtain the V
CC
range for particular part numbers. Please see the
“Erase and Programming Performance” on
page 141
table for typical timeout specifications.
Addresses
(x16)
Addresses
(x8)
Data
Description
1Bh
36h
0027h
V
CC
Min. (write/erase)
D7–D4: volt, D3–D0: 100 millivolt
1Ch
38h
0036h
V
CC
Max. (write/erase)
D7–D4: volt, D3–D0: 100 millivolt
1Dh
3Ah
0000h
V
PP
Min. voltage (00h = no V
PP
pin present)
1Eh
3Ch
0000h
V
PP
Max. voltage (00h = no V
PP
pin present)
1Fh
3Eh
0007h
Reserved for future use
20h
40h
0007h
Typical timeout for Min. size buffer write 2
N
μ
s (00h = not supported)
21h
42h
000Ah
Typical timeout per individual block erase 2
N
ms
22h
44h
0000h
Typical timeout for full chip erase 2
N
ms (00h = not supported)
23h
46h
0001h
Reserved for future use
24h
48h
0005h
Max. timeout for buffer write 2
N
times typical
25h
4Ah
0004h
Max. timeout per individual block erase 2
N
times typical
26h
4Ch
0000h
Max. timeout for full chip erase 2
N
times typical (00h = not supported)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064N11FFIV20 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11BFIV22 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11BFIV60 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11BFIV62 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11FAI010 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL032M10FBCR52 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:MirrorBit Flash Family |
| S29GL032M10FBCR53 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:MirrorBit Flash Family |
| S29GL032M10FBCR60 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:MirrorBit Flash Family |
| S29GL032M10FBCR62 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:MirrorBit Flash Family |
| S29GL032M10FBCR63 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:MirrorBit Flash Family |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。