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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL01GP90TFIV12 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有90納米MirrorBit工藝技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 4/77頁 |
| 文件大小： | 2121K |
| 代理商： | S29GL01GP90TFIV12 |
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4
S29GL-P MirrorBit
Flash Family
S29GL-P_00_A7 November 8, 2007
D a t a
S h e e t
( P r e l i m i n a r y )
Performance Characteristics
Notes
1. Access times are dependent on V
CC
and V
IO
operating ranges.
See
Ordering Information
page for further details.
Regulated V
CC
: V
CC
= 3.0–3.6 V.
Full V
CC
: V
CC
= V
IO
= 2.7–3.6 V.
VersatileIO V
IO
: V
IO
= 1.65–V
CC
, V
CC
= 3 V.
2. Contact a sales representative for availability.
Maximum Read Access Times (ns)
Density
Voltage Range
(1)
Random Access
Time (t
ACC
)
Page Access Time
(t
PACC
)
CE# Access Time
(t
CE
)
OE# Access Time
(t
OE
)
128 & 256 Mb
Regulated V
CC
90
25
90
25
Full V
CC
100/110
100/110
VersatileIO V
IO
110
110
512 Mb
Regulated V
CC
100
25
100
25
Full V
CC
100
(2)
/110
100
(2)
/110
VersatileIO V
IO
110
(2)
/120
110
(2)
/120
1 Gb
Regulated V
CC
110
25
110
25
Full V
CC
120
120
VersatileIO V
IO
130
130
Current Consumption (typical values)
Random Access Read (
f
= 5 MHz)
30 mA
8-Word Page Read (
f
= 10 MHz)
1 mA
Program/Erase
50 mA
Standby
1 μA
Program & Erase Times (typical values)
Single Word Programming
60 μs
Effective Write Buffer Programming (V
CC
) Per Word
15 μs
Effective Write Buffer Programming (V
HH
) Per Word
13.5 μs
Sector Erase Time (64 Kword Sector)
0.5 s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128P | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P10FAI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P10FAI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P10FAIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P10FAIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL01GS | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:GL-S MirrorBit Eclipse Flash Non-Volatile Memory Family |
| S29GL01GS10DFI020 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:GL-S MirrorBit Eclipse Flash Non-Volatile Memory Family |
| S29GL01GS10DFV020 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:GL-S MirrorBit Eclipse Flash Non-Volatile Memory Family |
| S29GL01GS10DHA020 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH, 1GBIT 100NS 64FBGA - Trays |
| S29GL01GS10DHI010 | 功能描述:閃存 1G 3V 100ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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