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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29AL016D90TFI013 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 MEGABIT CMOS 3.0 VOLT ONLY BOOT SECTOR FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-142DDD, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 45/58頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1037K |
| 代理商： | S29AL016D90TFI013 |
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December 17, 2004 S29AL016D_00_A2
S29AL016D
45
P r e l i m i n a r y
AC Characteristics
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the
Erase and Programming Performance
section for more information.
Parameter
Speed Options
J EDEC
Std
Description
70
90
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (
Note 1
)
Min
70
90
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
45
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
35
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (
Note 2
)
Byte
Typ
5
μs
Word
Typ
7
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (
Note 2
)
Typ
0.7
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (
Note 1
)
Min
50
μs
t
RB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Max
90
ns
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PDF描述 |
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