參數(shù)資料
型號： S1K
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA
封裝： SMBJ, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 118K
代理商： S1K
Junction Capacitance - pF versus
Reverse Junction Potential (Applied V + 0.7 Volts) - Volts
Figure 2
Junction Capacitance
.1
.2
1
.4
2
10
20
40
4
100
200
1
2
6
10
20
100
pF
Volts
1
10
100
10
20
30
40
50
60
Figure 3
Maximum Overload Surge Current
-65
°C to +175°C
Peak Forward Current - Amperes versus
Number of Cycles at 60Hz
Amps
Cycles
Average Forward Rectified Current - Amperes versus
Ambient Temperature -
°C
Figure 4
Forward Derating Curve
020
40
60
80 100 120 140 160 180
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
Resistive or
Inductive Load
Amps
°C
200
60
40
4
400
1000
Typical
Distribution
Median
Instantaneous Forward Current - Amperes versus
Instantaneous Forward Voltage - Volts
Figure 1
Typical Forward Characteristics
4
6
20
10
Amps
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
.01
.02
.04
.06
.1
.2
.4
.6
1
2
25
°C
Volts
S1A thru S1M
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S1G 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA
S1VBA60-4000 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
S1ZAS4-4062 1.2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
S1ZAS4-4102 1.2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
S20K60T 20 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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S1K/13T 功能描述:整流器 1.0 Amp 800 Volt 30A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
S1K/1T 功能描述:整流器 1.0 Amp 800 Volt 30A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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