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STGY40NC60VD

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 N Ch 600V 50A Max247
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
STGY40NC60VD 技術(shù)參數(shù)
  • STGWT80V60F 功能描述:IGBT 600V 120A 469W TO-3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 開(kāi)關(guān)能量:1.8mJ（開(kāi)），1mJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:448nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:60ns/220ns 測(cè)試條件:400V，80A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT80V60DF 功能描述:IGBT 600V 120A 469W TO-3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 開(kāi)關(guān)能量:1.8mJ（開(kāi)），1mJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:448nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:60ns/220ns 測(cè)試條件:400V，80A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:60ns 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT80H65FB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 開(kāi)關(guān)能量:2.1mJ（開(kāi)），1.5mJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:414nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:84ns/280ns 測(cè)試條件:400V，80A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT80H65DFB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 開(kāi)關(guān)能量:2.1mJ（開(kāi)），1.5mJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:414nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:84ns/280ns 測(cè)試條件:400V，80A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:85ns 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT60V60DF 功能描述:IGBT 600V 80A 375W TO3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開(kāi)關(guān)能量:750μJ（開(kāi)），550μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:334nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:60ns/208ns 測(cè)試條件:400V，60A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:74ns 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STH130N8F7-2 STH-14 STH140N6F7-2 STH140N6F7-6 STH140N8F7-2 STH145N8F7-2AG STH150N10F7-2 STH15NB50FI STH160N4LF6-2 STH170N8F7-2 STH175N4F6-2AG STH175N4F6-6AG STH-18 STH180N10F3-2 STH180N10F3-6 STH180N4F6-2 STH185N10F3-2 STH185N10F3-6
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