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STH-19

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STH-19
    STH-19

    STH-19

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售部經(jīng)理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號(hào)/香港辦事處:香港大理石

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 566

  • Keystone Electronics

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 23+

  • -
  • 真實(shí)的資源竭誠(chéng)服務(wù)您!

  • STH-19
    STH-19

    STH-19

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Keystone Electronics

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共3條 
  • 1
STH-19 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 電路板硬件 - PCB STANDOFF KIT
  • RoHS
  • 制造商
  • Harwin
  • 類型
  • Shield Clip
  • 長(zhǎng)度
  • 9.4 mm
  • 螺紋大小
  • 外徑
  • 材料
  • Beryllium Copper
  • 電鍍
  • Tin
STH-19 技術(shù)參數(shù)
  • STH185N10F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,STripFET? F3 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):114.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH185N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F3 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):114.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH180N10F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):114.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH180N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):114.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH-18 功能描述:KIT CONTAINING ALUMINUM STANDOFF 制造商:keystone electronics 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH250N55F3-6 STH250N6F3-6 STH260N6F6-2 STH260N6F6-6 STH265N6F6-2AG STH265N6F6-6AG STH270N4F3-2 STH270N4F3-6 STH270N8F7-2 STH270N8F7-6 STH272N6F7-6AG STH275N8F7-2AG STH275N8F7-6AG STH290N4F6-2 STH290N4F6-2AG STH290N4F6-6 STH290N4F6-6AG STH300NH02L-6
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