STH130N8F7-2

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STH130N8F7-2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
ST
H2PAK-2
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STH130N8F7-2 技術(shù)參數(shù)

STH130N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.3 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3305pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH12N120K5-2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:690 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH110N10F7-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:110A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 55A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5117pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH110N10F7-2 功能描述:MOSFET N CH 100V 110A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:110A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 55A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5117pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGYA120M65DF2 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247? 制造商:stmicroelectronics 系列:* 包裝:管件零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:160A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):360A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，120A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:1.8mJ（開），4.41mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:420nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:66ns/185ns 測試條件:400V，120A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:202ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:MAX247? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:600 STH175N4F6-2AG STH175N4F6-6AG STH-18 STH180N10F3-2 STH180N10F3-6 STH180N4F6-2 STH185N10F3-2 STH185N10F3-6 STH-19 STH2 STH-20 STH210N75F6-2 STH-22 STH240N10F7-2 STH240N10F7-6 STH240N75F3-2 STH240N75F3-6 STH245N75F3-6