STGWT40V60DF

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功能描述
IGBT 晶體管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
600 V
集電極—射極飽和電壓
2.35 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
+/- 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
80 A
柵極—射極漏泄電流
250 nA
功率耗散
283 W
最大工作溫度
+ 175 C
封裝 / 箱體
TO-3P
封裝
Tube

STGWT40V60DF 技術(shù)參數(shù)

STGWT40HP65FB 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P 制造商:stmicroelectronics 系列:HB 包裝:管件零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關(guān)能量:363μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:-/142ns 測試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:140ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:600 STGWT40H65FB 功能描述:IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關(guān)能量:498mJ（開），363mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:40ns/142ns 測試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT40H65DFB 功能描述:IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關(guān)能量:498μJ（開），363μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:40ns/142ns 測試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:62ns 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT40H60DLFB 功能描述:IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關(guān)能量:363μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:-/142ns 測試條件:400V，40A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT38IH130D 功能描述:IGBT 1300V 63A 250W TO3P 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1300V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):125A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.8V @ 15V，20A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:3.4mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:127nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:-/284ns 測試條件:960V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-3P-3 整包安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STGWT80V60F STGY40NC60VD STGY50NC60WD STGY80H65DFB STGYA120M65DF2 STH110N10F7-2 STH110N10F7-6 STH110N7F6-2 STH12N120K5-2 STH13009 STH130N10F3-2 STH130N8F7-2 STH-14 STH140N6F7-2 STH140N6F7-6 STH140N8F7-2 STH145N8F7-2AG STH150N10F7-2