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STW5630/JDR18BDR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STW5630/JDR18BDR
    STW5630/JDR18BDR

    STW5630/JDR18BDR

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)中航路都會(huì)B座10012M

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 175000

  • Seoul Semiconductor Inc.

  • LED原廠規(guī)格

  • 23+

  • -

  • 真實(shí)的資源竭誠(chéng)服務(wù)您

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
STW5630/JDR18BDR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • LED Lighting COBs, Engines, Modules -
  • 制造商
  • seoul semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 過(guò)期
  • 類型
  • -
  • 顏色
  • -
  • CCT（K）
  • -
  • 波長(zhǎng)
  • -
  • 配置
  • -
  • 通量 @ 電流/溫度 -測(cè)試
  • -
  • 電流 - 測(cè)試
  • -
  • 溫度 - 測(cè)試
  • -
  • 電壓 - 正向（Vf）（典型值）
  • -
  • 不同測(cè)試電流時(shí)的流明/瓦
  • -
  • 電流 - 最大值
  • -
  • CRI（高顯色指數(shù)）
  • -
  • 視角
  • -
  • 特性
  • -
  • 大小/尺寸
  • -
  • 高度
  • -
  • 發(fā)光面（LES）
  • -
  • 透鏡類型
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STW5630/JDR18BDR 技術(shù)參數(shù)
  • STW55NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:51A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5800pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW55NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:51A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5800pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW55NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 54A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:54A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:54 毫歐 @ 27A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5800pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW54NM65ND 功能描述:MOSFET N-CH 650V 59A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:49A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:188nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6200pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW52NK25Z 功能描述:MOSFET N-CH 250V 52A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:52A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4850pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW58N60DM2AG STW58N65DM2AG STW5NK100Z STW60N65M5 STW60NE10 STW60NM50N STW62N65M5 STW62NM60N STW65N65DM2AG STW65N80K5 STW68N60M6 STW69N65M5 STW69N65M5-4 STW6N120K3 STW6N90K5 STW6N95K5 STW70N10F4 STW70N60DM2
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免責(zé)聲明：以上所展示的STW5630/JDR18BDR信息由會(huì)員自行提供，STW5630/JDR18BDR內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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