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STW81100AT-1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數(shù)量
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  • 封裝
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  • STW81100AT-1
    STW81100AT-1

    STW81100AT-1

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：譚玉麗

    電話：19129491949(手機優(yōu)先微信同號)0755-83267816

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 10001

  • STMicroelectronics

  • 28-VFQFN，28-VFQFPN

  • 12+

  • -

  • 授權分銷 現(xiàn)貨熱賣

  • STW81100AT-1
    STW81100AT-1

    STW81100AT-1

  • 深圳市訊順達科技有限公司
    深圳市訊順達科技有限公司

    聯(lián)系人：卓小姐/蔡小姐/莊小姐

    電話：0755-827272340755-23915567

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A座15KL

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 4200

  • STMicroelectronics

  • 28-VFQFPN

  • 23+

  • -

  • 全新原裝歡迎詢價下單

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
STW81100AT-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 鎖相環(huán) - PLL MULTI BAND RF FREQ SYNTHESIZER
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Silicon Labs
  • 類型
  • PLL Clock Multiplier
  • 電路數(shù)量
  • 1
  • 最大輸入頻率
  • 710 MHz
  • 最小輸入頻率
  • 0.002 MHz
  • 輸出頻率范圍
  • 0.002 MHz to 808 MHz
  • 電源電壓-最大
  • 3.63 V
  • 電源電壓-最小
  • 1.71 V
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 最小工作溫度
  • - 40 C
  • 封裝 / 箱體
  • QFN-36
  • 封裝
  • Tray
STW81100AT-1 技術參數(shù)
  • STW80NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3850pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:600 STW80NE06-10 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:189nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW80H150C 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER 150V TO-247AD 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:910mV @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 150V 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247AD 標準包裝:1 STW7NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 2.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW7N95K3 功能描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.35 歐姆 @ 3.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1031pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW82101BTR STW82102B STW82102BTR STW82103B STW82103BTR STW88N65M5 STW88N65M5-4 STW8B12C-AABL STW8C2SA-J19K24-EA STW8C2SA-J19K24-GA STW8C2SA-J19K24-HA STW8C2SA-J19K26-CA STW8C2SA-K21K26-BA STW8N90K5 STW8NB100 STW8NK80Z STW8Q14BE-S5-GT STW8Q14BE-S5T0-HA
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