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STW81100ATR-1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • STW81100ATR-1
    STW81100ATR-1

    STW81100ATR-1

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:譚玉麗

    電話:19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83267816

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 10001

  • STMicroelectronics

  • 28-VFQFN,28-VFQFPN

  • 12+

  • -
  • 授權(quán)分銷 現(xiàn)貨熱賣

  • STW81100ATR-1
    STW81100ATR-1

    STW81100ATR-1

  • 深圳市訊順達(dá)科技有限公司
    深圳市訊順達(dá)科技有限公司

    聯(lián)系人:卓小姐/蔡小姐/莊小姐

    電話:0755-827272340755-23915567

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場A座15KL

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 4200

  • STMicroelectronics

  • 28-VFQFPN

  • 23+

  • -
  • 全新原裝歡迎詢價(jià)下單

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  • 1
STW81100ATR-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 鎖相環(huán) - PLL MULTI BAND RF FREQ SYNTHESIZER
  • RoHS
  • 制造商
  • Silicon Labs
  • 類型
  • PLL Clock Multiplier
  • 電路數(shù)量
  • 1
  • 最大輸入頻率
  • 710 MHz
  • 最小輸入頻率
  • 0.002 MHz
  • 輸出頻率范圍
  • 0.002 MHz to 808 MHz
  • 電源電壓-最大
  • 3.63 V
  • 電源電壓-最小
  • 1.71 V
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 最小工作溫度
  • - 40 C
  • 封裝 / 箱體
  • QFN-36
  • 封裝
  • Tray
STW81100ATR-1 技術(shù)參數(shù)
  • STW81100AT-1 功能描述:鎖相環(huán) - PLL MULTI BAND RF FREQ SYNTHESIZER RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類型:PLL Clock Multiplier 電路數(shù)量:1 最大輸入頻率:710 MHz 最小輸入頻率:0.002 MHz 輸出頻率范圍:0.002 MHz to 808 MHz 電源電壓-最大:3.63 V 電源電壓-最小:1.71 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:QFN-36 封裝:Tray STW80NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3850pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:600 STW80NE06-10 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):189nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW80H150C 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER 150V TO-247AD 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):40A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:910mV @ 40A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:300μA @ 150V 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STW7NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 2.9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):60.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW82102B STW82102BTR STW82103B STW82103BTR STW88N65M5 STW88N65M5-4 STW8B12C-AABL STW8C2SA-J19K24-EA STW8C2SA-J19K24-GA STW8C2SA-J19K24-HA STW8C2SA-J19K26-CA STW8C2SA-K21K26-BA STW8N90K5 STW8NB100 STW8NK80Z STW8Q14BE-S5-GT STW8Q14BE-S5T0-HA STW8Q14BE-T0,T5,U0,U7-ET-PCK
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