STL128DNFP

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STL128DNFP
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-220F
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

STL128DNFP
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
TO-220FP
18+
-
TRANS NPN 400V 4A TO...

STL128DNFP
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3526
ST
TO-220FP
14+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存，400-800-03...

STL128DNFP
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
TO 220 ISO FULL PACK IN L
ST
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

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功能描述
兩極晶體管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

STL128DNFP 技術(shù)參數(shù)

STL128DFP 功能描述:TRANS NPN 400V 4A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 700mA，3.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STL128D 功能描述:TRANS NPN 400V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 700mA，3.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:65W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 STL120N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4570pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL120N4LF6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4260pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL120N4F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:55A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3700pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL-1-350-8-01 STL135N8F7AG STL13DP10F6 STL13N60DM2 STL13N60M2 STL13N65M2 STL13NM60N STL140N4F7AG STL140N4LLF5 STL140N6F7 STL-1-450-3-01 STL-1-450-8-01 STL150N3LLH5 STL150N3LLH6 STL15DN4F5 STL15N3LLH5 STL15N60M2-EP STL15N65M5