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STL17N3LLH6
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
7500
ST
原廠原裝
1706+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫(kù)存

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深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開(kāi)13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
13740
ST
QFN
23+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨特價(jià)

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深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
DFN33
22+
-
每一片都來(lái)自原廠，正品保證

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深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
16677
ST
QFN
2022+
-
原裝正品，公司現(xiàn)貨庫(kù)存假一罰十，電話：0...

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深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場(chǎng)C棟706
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
9000
STMMicroe
QFN
假一賠十！
-
原裝自己現(xiàn)貨?。?/p>

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深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ST
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

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深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（3.3x3.3）
18+
-
MOSFET N-CH 30V 17A ...

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深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室
69800
ST
近兩年生產(chǎn)
8-PowerVDF
-
每一片都來(lái)自原廠

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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
59970
STM
DFN3X3
13+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3526
ST
PowerFlat?（3.3x3.3）
14+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫(kù)存，400-800-03...

STL17N3LLH6
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
ST/意法
DFN3x3
23+
-
百分百進(jìn)口原裝環(huán)保整盤(pán)

STL17N3LLH6
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
11630
ST
原廠原裝
18+
-
原裝正品，優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

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深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：廖R
電話：13163738578
地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707
9000
STMMicroe
QFN
1409
-

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深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)45層4503B★公司為一般納稅人，可開(kāi)正規(guī)13%專
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
59990
ST/意法半導(dǎo)體
DFN-83.33
17+
-
100%原裝，誠(chéng)信為本，等你咨詢！

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STL17N3LLH6 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

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功能描述
MOSFET N-Ch 30V 0.0038 Ohm 17A STripFET VI 30V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STL17N3LLH6 技術(shù)參數(shù)

STL16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:299 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 100V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL16N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:395 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:718pF @ 100V 功率 - 最大值:56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL16N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:355 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:704pF @ 100V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL16N1VH5 功能描述:MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 8A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:500mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:26.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2085pF @ 12V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL160NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3245pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL19N65M5 STL200N45LF7 STL20DN10F7 STL20DNF06LAG STL20N6F7 STL20NF06LAG STL20NM20N STL210N4F7AG STL21N65M5 STL220N3LLH7 STL220N6F7 STL225N6F7AG STL22N65M5 STL23NM50N STL23NM60ND STL23NS3LLH7 STL24N60DM2 STL24N60M2