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STL19N60M2

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  • STL19N60M2
    STL19N60M2

    STL19N60M2

    現(xiàn)貨
  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯

    電話(huà)：0755-836658130755-83465652

    地址：深南中路佳和大廈B座907

  • 1130

  • ST

  • PowerFLAT-8x8-5

  • 1810+

  • -

  • 全新原裝進(jìn)口

  • STL19N60M2
    STL19N60M2

    STL19N60M2

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：洪寶宇

    電話(huà)：17862669251

    地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 357195

  • STMICROELECTRONICS

  • con

  • 24+

  • -

  • STL19N60M2
    STL19N60M2

    STL19N60M2

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話(huà)：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 357195

  • STMICROELECTRONICS

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • STL19N60M2
    STL19N60M2

    STL19N60M2

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話(huà)：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6005

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • PowerFLAT-8x8-HV-5

  • 21+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開(kāi)增值稅發(fā)票

  • STL19N60M2
    STL19N60M2

    STL19N60M2

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人：胡慶偉

    電話(huà)：13138879988

    地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號(hào) 富源商貿(mào)中心D棟601

  • 50

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -

  • 1.41364 USD,szpoweri...

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  • 1
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STL19N60M2 技術(shù)參數(shù)
  • STL19N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL190N4F7AG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL18NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.1A（Ta），12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:310 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL18N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1240pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL18N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:365 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:764pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL220N3LLH7 STL220N6F7 STL225N6F7AG STL22N65M5 STL23NM50N STL23NM60ND STL23NS3LLH7 STL24N60DM2 STL24N60M2 STL24N65M2 STL24NM60N STL-250-3-01 STL-250-8-01 STL25N15F3 STL25N15F4 STL25N60M2-EP STL260N3LLH6 STL26NM60N
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