參數(shù)資料
型號(hào)： RX1214B170W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-439A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 74K
代理商： RX1214B170W
1997 Feb 18
6
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
RX1214B170W
List of components
(see Fig.3)
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
ORDERING INFORMATION
C1
C2
C3
C4
C5
L1, L2
variable gigatrim capacitor
variable gigatrim capacitor
capacitor
tantalum capacitor
feedthrough bypass capacitor
0.65 mm copper wire;
total length = 24 mm;
height of loop = 10 mm
4 turns 0.65 mm copper wire;
total length = 4 mm;
internal diameter = 3 mm
0.6 to 5 pF
0.8 to 8 pF
100 pF
10
μ
F; 50 V
Tekelec AT3-7271SL
Tekelec 729-1
ATC 100A101kp50x
Erie 1250-003
L3
Fig.4 Power gain as a function of frequency.
Class C pulse operation.
t
p
= 500
μ
s;
δ
= 10%; V
CC
= 42 V; P
o
= 170 W.
In broadband test circuit as shown in Fig.3.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
1.2
1.3
1.4
6
MLC454
f (GHz)
7
Fig.5
Collector efficiency as a function.
of frequency.
Class C pulse operation.
t
p
= 500
μ
s;
δ
= 10%; V
CC
= 42 V; P
o
= 170 W.
In broadband test circuit as shown in Fig.3.
handbook, halfpage
η
c
(%)
1.2
1.3
1.4
47
MLC455
f (GHz)
49
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