參數(shù)資料
型號： RX1214B170W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-439A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： RX1214B170W
1997 Feb 18
5
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
RX1214B170W
Fig.3 Broadband test circuit.
Dimensions in mm.
Substrate: Epsilam 10.
Thickness: 0.635 mm.
Permittivity:
ε
r
= 10.
handbook, full pagewidth
MLC452
VCC
C5
L3
L1
L2
C4
C6
C3
C2
C1
output
input
30
40
30
40
15.0
16.2
6.5
0.7
0.7
7.0
4.0
7.0
8.0
8.0
1
2.5
4.0 3.0
3.8
3.0
相關PDF資料
PDF描述
RX1214B300Y NPN Microwave power transistor(NPN 微波功率晶體管)
RX1300 Analog IC
RX1305 Analog IC
RX1310 Analog IC
RX1320 Analog IC
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
RX1214B300Y 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor
RX1214B300Y TRAY 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
RX1214B300Y,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
RX1214B350Y 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor
RX1214B80W 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistors
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*