參數(shù)資料
型號(hào)： RFP15N08L
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 15A, 80V, 0.140 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFET(15A, 60V, 0.140 Ω, N溝道,邏輯電平,功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 15 A, 80 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商： RFP15N08L
6-237
FIGURE 7. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 8. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 9. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 10. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 11. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
GS
= V
DS
I
D
= 250
μ
A
1.4
1.2
1
0.8
0.650
0
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
50
100
150
200
N
V
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
00
10
20
30
40
50
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
RSS
C
OSS
C
ISS
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
60
45
30
15
0
10
8
6
4
2
0
GATE SOURCE
VOLTAGE
R
L
= 4
I
G
(REF) = 0.5mA
V
GS
= 5V
DRAIN SOURCE VOLTAGE
D
G
I
G
(REF)
I
G
(ACT)
20
I
G
(REF)
I
G
(ACT)
80
t, TIME (
μ
s)
BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
RFP15N08L
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PDF描述
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