參數(shù)資料
型號： RFD4N06LSM
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 4 A, 60 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： RFD4N06LSM
6-191
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 4. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 5. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 6. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs DRAIN
CURRENT
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
P
0
25
50
75
100
125
150
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
I
D
,
5
3
2
1
4
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
0.1
10
1
I
D
,
100
1.0
T
J
= MAX RATED
T
C
= 25
C
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY r
DS(ON)
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
I
D
,
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
PULSE DURATION = 80
μ
s
T
C
= 25
C
V
GS
= 7.5V
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
4.5V
4V
3.5V
3V
2.5V
2V
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
C
= -40
o
C
T
C
= -40
o
C
3
T
C
= 125
o
C
5
4
3
2
1
01
2
4
5
6
8
7
6
V
DS
= 10V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE
≤
2%
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
r
D
,
O
)
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.6
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 5V
PULSE DURATION = 80
μ
s
T
C
= 125
o
C
RFD4N06L, RFD4N06LSM
相關PDF資料
PDF描述
RFD4N06L 4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD4N06LSM 4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD7N10LE 7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs
RFD7N10LESM 7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs
RFF60P06 25A⒂, 60V, 0.030 Ohm, P-Channel Power MOSFET
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參數(shù)描述
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