參數(shù)資料
型號： RFD15N06LE
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 15A, 60V, 0.065 Ohm, ESD Rated, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs(15A, 60V, 0.065 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場效應管)
中文描述： 15 A, 60 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： RFD15N06LE
6-151
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
5
0
25
50
75
100
125
150
10
20
15
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
175
0.01
0.1
1
Z
θ
J
,
T
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
10
1
P
DM
t
1
t
2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
10
1
100
10
I
D
,
200
100
60
LIMITED BY r
DS(ON)
AREA MAY BE
OPERATION IN THIS
100
μ
s
1ms
100ms
DC
10ms
T
C
= 25
o
C, T
J
= MAX RATED
t, PULSE WIDTH (s)
200
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
100
I
D
,
THERMAL IMPEDANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
I = I
25
175 - T
C
150
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
T
C
= 25
o
C
RFD15N06LE, RFD15N06LESM
相關PDF資料
PDF描述
RFD15N06LESM 15A, 60V, 0.065 Ohm, ESD Rated, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs(15A, 60V, 0.065 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場效應管)
RFD15P05SM 15A, 50V, 0.150 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(15A, 50V, 0.150 Ω,P溝道增強型功率MOS場效應管)
RFD15P05 15A, 50V, 0.150 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(15A, 50V, 0.150 Ω,P溝道增強型功率MOS場效應管)
RFD15P06SM 15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(15A, 60V, 0.150 Ω,P溝道功率MOS場效應管)
RFD15P06 15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(15A, 60V, 0.150 Ω,P溝道功率MOS場效應管)
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參數(shù)描述
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RFD15P05 功能描述:MOSFET TO-251AA P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD15P05SM 功能描述:MOSFET TO-252AA P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD15P05SM9A 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD15P06 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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