參數(shù)資料
型號： RFD10P03
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： 10A, 30V, 0.200W, Logic Level P-Channel Power MOSFET
中文描述： 10A條，30V的，0.200W，邏輯電平P溝道功率MOSFET
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 272K
代理商： RFD10P03
10
RFD10P03L, RFD10P03LSM, RFP10P03L
TO-251AA
3 LEAD JEDEC TO-251AA PLASTIC PACKAGE
LEAD NO. 1
-
GATE
LEAD NO. 2
-
DRAIN
LEAD NO. 3
-
SOURCE
TERM. 4
-
DRAIN
b
2
E
A
c
SEATING
PLANE
L
1
D
L
b
e
1
2
3
b
1
H
1
J
1
A
1
e
1
TERM. 4
SYMBOL
INCHES
MILLIMETERS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.086
0.094
2.19
2.38
-
A
1
b
0.018
0.022
0.46
0.55
3, 4
0.028
0.032
0.72
0.81
3, 4
b
1
b
2
c
0.033
0.040
0.84
1.01
3
0.205
0.215
5.21
5.46
3, 4
0.018
0.022
0.46
0.55
3, 4
D
0.270
0.290
6.86
7.36
-
E
0.250
0.265
6.35
6.73
-
e
0.090 TYP
2.28 TYP
5
e
1
H
1
J
1
L
0.180 BSC
4.57 BSC
5
0.035
0.045
0.89
1.14
-
0.040
0.045
1.02
1.14
6
0.355
0.375
9.02
9.52
-
L
1
0.075
0.090
1.91
2.28
2
NOTES:
1. These dimensions are within allowable dimensions of Rev. C of
JEDEC TO-251AA outline dated 9-88.
2. Solder finish uncontrolled in this area.
3. Dimension (without solder).
4. Add typically 0.002 inches (0.05mm) for solder plating.
5. Position of lead to be measured 0.250 inches (6.35mm) from bot-
tom of dimension D.
6. Position of lead to be measured 0.100 inches (2.54mm) from bot-
tom of dimension D.
7. Controlling dimension: Inch.
8. Revision 2 dated 10-95.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFD10P03L 10A, 30V, 0.200W, Logic Level P-Channel Power MOSFET
RFD12N06RLESM 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
RFD12N06RLE 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
RFD12N06RLE 12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs(12A, 60V, 0.135 Ω, N溝道,邏輯電平,功率MOS場效應管)
RFD12N06RLESM 12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs(12A, 60V, 0.135 Ω, N溝道,邏輯電平,功率MOS場效應管)
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參數(shù)描述
RFD10P03L 功能描述:MOSFET TO-251 P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD10P03LSM 功能描述:MOSFET TO-252AA P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD10P03LSM9A 制造商:HARRIS 制造商全稱:HARRIS 功能描述:10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET
RFD12N06RLE 功能描述:MOSFET 60V/12a/0.135Ohm NCh Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD12N06RLE 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC I-PAK
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