參數(shù)資料
型號(hào)： RF1S70N06SM
廠(chǎng)商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 70A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 70 A, 80 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： RF1S70N06SM
4-479
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORM
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 2V
Q
g(10)
V
GS
= 10V
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFG70N06 70A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
RFG75N05E 75A, 50V, 0.008 Ohm, N-Channel Power MOSFET
RFH10N45 10A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFH10N50 CAP 1000PF 200V 10% X7R DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
RFH12N35 12A, 350V and 400V, 0.380 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RF1S70N06SM9A 功能描述:MOSFET TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S70N06SM9AR4570 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S70ND6SM9A 制造商:Harris Corporation 功能描述:
RF1S740AST 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:10A 400V 0.550 Ohm N-Channel SMPS Power MOSFET(151.36 k)
RF1S740SM9AS5001 制造商:Harris Corporation 功能描述:
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