參數(shù)資料
型號： RF1S45N06SM
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 45A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 45 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 73K
代理商： RF1S45N06SM
4-460
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 2V
Q
g(10)
V
GS
= 10V
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFG45N06 45A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFP45N06 45A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFG45N06 45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
RFP45N06 45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
RF1S45N06SM 45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RF1S4N100 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
RF1S4N100SM 功能描述:MOSFET TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S4N100SM9A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S50N06 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S50N06LE 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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