參數(shù)資料
型號： RF1K4909096
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO
中文描述： 3.5 A, 12 V, 0.05 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 252K
代理商： RF1K4909096
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
RF1K49090 Rev. B
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
AMBIENT TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
2.0
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
150
1.5
3.0
2.5
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
4.0
3.5
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-3
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.01
10
0.1
1
10
-2
10
3
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
10
100
0.01
1
100
10
0.1
0.1
I
D
,
DC
5ms
10ms
100ms
1s
T
J
= MAX RATED, V
DSS
MAX = 12V
T
A
= 25
o
C
LIMITED BY r
DS(ON)
AREA MAY BE
OPERATION IN THIS
t, PULSE WIDTH (s)
200
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
GS
= 5V
100
I
D
,
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
I
=
I
25
150 - T
A
125
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
T
A
= 25
o
C
RF1K49090
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RF1K49090 3.5A, 12V, 0.050 Ohm, Logic Level, Dual N-Channel LittleFET⑩ Power MOSFET
RF1K49090 Dual N-Channel power MOSFET(雙路N溝道功率MOS場效應(yīng)管)
RF1K4909296 TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 12V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO
RF1K49092 3.5A/2.5A, 12V, 0.050/0.130 Ohm, Logic Level, Complementary LittleFET⑩ Power MOSFET
RF1K49092 Logic Level Complementary power MOSFET(邏輯電平可補(bǔ)償功率MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RF1K49092 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1K4909296 功能描述:MOSFET USE 512-FDS9934C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1K49093 功能描述:MOSFET SOIC-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1K4909396 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1K49154 功能描述:MOSFET USE 512-FDS9945 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*