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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RD28F1604C3T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 39/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | RD28F1604C3T90 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
Datasheet
39
5.11
SRAMDataRetentionCharacteristics
—
Extended
Temperature
Table19. SRAMDataRetentionCharacteristics
(1)
—ExtendedTemperature
Sym
Parameter
Note
Min
Typ
Max
Unit
TestConditions
V
DR
S-V
CC
forDataRetention
2
1.5
–
3.3
V
CS
1
#
≥
V
CC–
0.2 V
I
DR
DeepRetentionCurrent-
8-Mbit
–
–
6
μA
S-V
CC
= 1.5 V
CS
1
#
≥
V
CC–
0.2 V
DeepRetentionCurrent-
4-Mbit
–
–
5
μA
DeepRetentionCurrent-
2-Mbit
–
–
4
μA
t
SDR
DataRetentionSet-upTime
0
–
–
ns
SeeDataRetentionWaveform
t
RDR
NOTES:
1. TypicalvaluesatnominalS-V
CC
,T
CASE
= +25°C.
2. S-CS1#
≥
V
CC–
0.2 V,S-CS2
V
CC–
≤
0.2 V(S-CS2controlled).
RecoveryTime
t
RC
–
–
ns
Figure11.SRAMDataRetentionWaveform
V
CC
3.0/2.7V
CS
1
#(E
1
)
2.2V
V
DR
CS
2
(E
2
)
GND
V
CC
3.0/2.7V
0.4V
GND
V
DR
CS
1
#Controlled
CS
2
Controlled
DataRetentionMode
t
SDR
t
RDR
DataRetentionMode
t
SDR
t
RDR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F1602C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3208C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1602C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD38F1010C0ZTL0 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD28F1604C3TD70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3TD70SB93 | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| RD28F3204C3B70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3204C3T70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3204W30B70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
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