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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RD100HHF1 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | MOS FET type transistor specifically designed for HF High power amplifiers applications. |
| 中文描述： | 場(chǎng)效應(yīng)晶體管型晶體管專為高頻高功率放大器的應(yīng)用。 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 179K |
| 代理商： | RD100HHF1 |
MITSUBISHI RF POWER MOS FET
RD100HHF1
Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W
RD100HHF1
MITSUBISHI ELECTRIC
REV.3 8 APRIL. 2004
6/7
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
RD100HHF1 S -PARAMET ER DAT A (@V dd=12.5V , Id=800mA)
Freq.
[MHz]
(mag)
(ang)
(mag)
(ang)
10
0.835
-158.6
31.451
30
0.839
-171.1
10.628
50
0.849
-172.9
6.212
100
0.886
-173.9
2.749
150
0.915
-175.1
1.541
200
0.932
-176.4
0.972
250
0.945
-177.3
0.671
300
0.951
-178.2
0.481
350
0.958
-179.3
0.365
400
0.960
-179.8
0.291
450
0.964
179.5
0.243
500
0.966
178.7
0.195
550
0.970
178.2
0.154
600
0.967
177.5
0.133
650
0.971
177.0
0.119
700
0.970
176.5
0.109
750
0.969
175.6
0.092
800
0.970
175.2
0.080
850
0.976
174.5
0.073
900
0.973
173.9
0.067
950
0.973
173.2
0.058
1000
0.977
172.6
0.049
(mag)
0.014
0.014
0.012
0.012
0.009
0.007
0.006
0.005
0.003
0.003
0.004
0.003
0.004
0.005
0.003
0.006
0.007
0.005
0.007
0.008
0.008
0.011
(ang)
5.2
-9.9
-20.7
-34.1
-27.8
-36.9
-54.4
-30.4
13.1
-18.0
45.3
42.3
78.6
80.1
72.0
61.3
67.2
82.2
78.7
69.9
86.8
78.7
(mag)
0.770
0.764
0.786
0.842
0.880
0.908
0.946
0.941
0.952
0.974
0.963
0.971
0.975
0.965
0.972
0.973
0.964
0.974
0.969
0.973
0.973
0.971
(ang)
-162.1
-171.6
-171.4
-171.4
-173.6
-174.3
-176.2
-177.4
-178.3
-179.8
179.6
178.6
177.5
176.8
176.0
175.1
174.9
173.9
173.3
172.6
171.5
171.7
94.8
79.3
71.0
54.1
40.2
31.6
24.5
20.1
15.2
13.4
8.5
6.8
5.2
4.8
1.0
-1.3
0.6
-4.0
-1.9
-5.4
4.1
-8.7
S11
S21
S12
S22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD100FM | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| RD28F3204W30B70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30B85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30T70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30T85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD100HHF1_10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W |
| RD100HHF1_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W |
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