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參數(shù)資料
| 型號： | RD100HHF1 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | MOS FET type transistor specifically designed for HF High power amplifiers applications. |
| 中文描述： | 場效應晶體管型晶體管專為高頻高功率放大器的應用。 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 179K |
| 代理商： | RD100HHF1 |
MITSUBISHI RF POWER MOS FET
RD100HHF1
Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W
RD100HHF1
MITSUBISHI ELECTRIC
REV.3 8 APRIL. 2004
5/7
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
INPUT/OUTPUT IMPEDANCE VS.FREQUENCY CHARACTERISTICS
Zin , Zout
f
Zin
Zout
(MHz)
(ohm)
(ohm)
Conditions
30
8.86-j14.31
0.64-j0.01
Po=115W, Vdd=12.5V,Pin=7W
f=30MHz Zout
f=30MHz Zin
Zo=10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD100FM | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| RD28F3204W30B70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30B85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30T70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F3204W30T85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD100HHF1_10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W |
| RD100HHF1_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W |
| RD100M35 | 制造商:Robert G Allen (RGA) 功能描述: |
| RD100S | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:ZENER DIODES 200 mW 2 PINS SUPER MINI MOLD |
| RD100S-T1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Diode Zener Single 100V 6% 200mW 2-Pin Mini-Mold T/R |
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