參數(shù)資料
型號: RB521S30T1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Schottky Barrier Diode
中文描述: 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: MINIATURE, PLASTIC, CASE 502-01, 2 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 32K
代理商: RB521S30T1
RB521S30T1
http://onsemi.com
3
PACKAGE DIMENSIONS
SOD523
PLASTIC PACKAGE
CASE 50201
ISSUE O
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M,
1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH
THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM
THICKNESS OF BASE MATERIAL.
T
SEATING
B
A
X
Y
D
2 PL
T
M
0.08 (0.003)
X
Y
C
S
J
K
DIM
A
B
C
D
J
K
S
MIN
1.10
0.70
0.50
0.25
0.07
0.15
1.50
NOM
1.20
0.80
0.60
0.30
0.14
0.20
1.60
MAX
1.30
0.90
0.70
0.35
0.20
0.25
1.70
MILLIMETERS
0.043
0.028
0.020
0.010
0.0028
0.006
0.059
0.047
0.032
0.024
0.012
0.0055
0.008
0.063
0.051
0.035
0.028
0.014
0.0079
0.010
0.067
MIN
NOM
MAX
INCHES
RECOMMENDED FOOTPRINT
1.4
0.0551
0.4
0.0157
0.4
0.0157
相關PDF資料
PDF描述
RB521S30T5 Schottky Barrier Diode
RB751S40T1 Schottky Barrier Diode
RB751S40T1G Schottky Barrier Diode
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參數(shù)描述
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RB521S30T1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 30V 200mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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