參數(shù)資料
型號： R5F56218BDFP#V0
廠商： Renesas Electronics America
文件頁數(shù)： 95/148頁
文件大?。?/td> 0K
描述： MCU 32BIT FLASH 512KROM 100LQFP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： RX Compare Match Timer
RX DMAC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： RX600
核心處理器： RX
芯體尺寸： 32-位
速度： 100MHz
連通性： CAN，EBI/EMI，I²C，SCI，SPI，USB
外圍設(shè)備： DMA，LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 72
程序存儲器容量： 512KB（512K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 96K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10/12b，D/A 1x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-LQFP
包裝： 托盤
PIC18F6520/8520/6620/8620/6720/8720
DS39609B-page 48
2004 Microchip Technology Inc.
FIGURE 4-6:
DATA MEMORY MAP FOR PIC18FX520 DEVICES
Bank 0
Bank 1
Bank 6
Bank 15
Data Memory Map
BSR<3:0>
= 0000
= 0001
= 1110
= 1111
060h
05Fh
F60h
FFFh
00h
5Fh
60h
FFh
Access Bank
When a = 0,
the BSR is ignored and the
Access Bank is used.
The first 96 bytes are General
Purpose RAM (from Bank 0).
The second 160 bytes are
Special Function Registers
(from Bank 15).
When a = 1,
the BSR is used to specify the
RAM location that the instruction
uses.
Bank 7
Bank 2
F5Fh
F00h
EFFh
7FFh
300h
2FFh
200h
1FFh
100h
0FFh
000h
= 0011
= 0010
Access RAM
FFh
00h
FFh
00h
FFh
00h
FFh
00h
FFh
00h
GPRs
SFRs
Unused
Access RAM High
Access RAM Low
Bank 3
to
6FFh
800h
700h
= 0110
(SFRs)
GPRs
Unused,
GPRs
FFh
00h
Bank 14
Bank 8
to
Read as ‘0’
= 0111
= 1000
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PDF描述
VJ2225Y103JBRAT4X CAP CER 10000PF 1.5KV X7R 2225
VJ2225Y153JBRAT4X CAP CER 0.015UF 1.5KV X7R 2225
VJ2225Y223JBRAT4X CAP CER 0.022UF 1.5KV X7R 2225
VJ2225Y682JBRAT4X CAP CER 6800PF 1.5KV 5% X7R 2225
VJ2225Y154JBEAT4X CAP CER 0.15UF 500V 5% X7R 2225
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參數(shù)描述
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R5F56218BDLE#U0 功能描述:MCU 32BIT FLASH 512KROM 145TFLGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:RX600 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:PIC® 16F 核心處理器:PIC 芯體尺寸:8-位 速度:20MHz 連通性:I²C，SPI 外圍設(shè)備:欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):11 程序存儲器容量:3.5KB（2K x 14） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:128 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.3 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 包裝:管件
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