參數(shù)資料
型號(hào)： QSE213
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光敏三極管
英文描述： PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
中文描述： PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 314K
代理商： QSE213
7/23/02
Page 3 of 4
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
PLASTIC SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE213 QSE214
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Fig.2 Radiation Diagram
0
10
20
30
40
50
60
10
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
V
CE
- COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (V)
I
D
I
L
I
L
Fig.1 Dark Current vs. Collector Emitter Voltage
90
0
10
20
30
40
50
60
70
80
100
110
120
130
140
150
160
180
170
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
TA - AMBIENT TEMPERATURE (
C)
T
A
- AMBIENT TEMPERATURE (
C)
V
CE
- COLLECTOR - EMITTER VOLTAGE (V)
Fig.5
Dark Current vs. Ambient Temperature
40
60
80
100
I
D
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
Normalized to:
V
CE
= 25 V
T
A
= 25
C
V
CE
= 25 V
V
CE
= 10 V
Fig.3
Light Current vs. Ambient Temperature
Fig.4
Light Current vs. Collector to Emitter Voltage
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.1
1
10
Normalized to:
V
CE
= 5 V
I
e
= 0.5 mW/cm
2
T
A
= 25
C
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
Normalized to:
V
CE
= 5 V
I
e
= 0.5 mW/cm
2
T
A
= 25
C
I
e
= 1 mW/cm
2
I
e
= 0.1 mW/cm
2
I
e
= 0.2 mW/cm
2
I
e
= 0.5 mW/cm
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QSE214 PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE243 LOW LIGHT REJECTION PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE773 PLASTIC SILICON PIN PHOTODIODE
QSE773 PLASTIC SILICON PIN PHOTODIODE
QSE973 SIDELOOKER PIN PHOTODIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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QSE214C 功能描述:光電晶體管 OPTO_LIGHTING RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
QSE243 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Lo Light Reject RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
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