參數(shù)資料
型號(hào)： QSE122
廠商： QT OPTOELECTRONICS
元件分類： 光敏三極管
英文描述： SIDELOOKE PHOTOTRANSISTOR
中文描述： PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 327K
代理商： QSE122
5/1/02
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2002 Fairchild Semiconductor Corporation
PLASTIC SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE122
Figure 1. Light Current vs. Radiant Intensity
Figure 3. Dark Current vs. Collector - Emitter Voltage
Figure 4. Light Current vs. Collector - Emitter Voltage
Figure 5. Dark Current vs. Ambient Temperature
Figure 2. Angular Response Curve
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
E
e
- Radiant Intensity (mW/cm
2
)
0.1
1
I
C
-
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
CE
= 5V
GaAs Light Source
V
CE
- Collector-Emitter Voltage (V)
0
5
10
15
20
25
30
I
C
-
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
CE
- Collector-Emitter Voltage (V)
0.1
1
10
I
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Ie=1mW/cm2
Ie=0.5mW/cm2
Ie=0.2mW/cm2
Ie=0.1mW/cm2
Normalized to:
VCE=5V
Ie=0.5mW/cm2
TA=25
°
C
TA - Ambient Temperature (
°
C)
25
50
75
100
I
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
Normalized to:
V
CE
= 25V
T
A
= 25
°
C
V
CE
= 25V
V
CE
= 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QSE123 SIDELOOKE PHOTOTRANSISTOR
QSE133 PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE133 SIDELOOKE PHOTODARLINGTON
QSE157 OPTOLOGIC⑩
QSE156 OPTOLOGIC⑩
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
QSE122_Q 功能描述:光電晶體管 3mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
QSE123 制造商:QT 制造商全稱:QT 功能描述:SIDELOOKE PHOTOTRANSISTOR
QSE133 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Darlington Sidelook RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
QSE133_TF 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Photodarlington IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bulk
QSE156 功能描述:光IC傳感器 LOGIC DETECTOR RoHS:否 制造商:Honeywell 產(chǎn)品:Photo IC 通道數(shù)量:1 輸出類型:10 KOhms Pull-up, Inverter 工作電源電壓:4.5 V to 16 V 電源電流:12 mA to 15 mA 高電平輸出電流: 上升時(shí)間:60 ns 下降時(shí)間:15 ns 傳播延遲時(shí)間:5 us 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量: 封裝:
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