參數(shù)資料
型號(hào)： QSE122
廠商： QT OPTOELECTRONICS
元件分類(lèi)： 光敏三極管
英文描述： SIDELOOKE PHOTOTRANSISTOR
中文描述： PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 327K
代理商： QSE122
5/1/02
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2002 Fairchild Semiconductor Corporation
PLASTIC SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE122
NOTES:
1. Derate power dissipation linearly 1.33 mW/
°
C above 25
°
C.
2. RMA
fl
ux is recommended.
3. Methanol or isopropyl alcohols are recommended as cleaning agents.
4. Soldering iron 1/16" (1.6 mm) minimum from housing.
5.
λ
= 880 nm (AlGaAs).
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise speci
fi
ed)
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Operating Temperature
T
OPR
T
STG
-40 to +100
°
C
Storage Temperature
-40 to +100
°
C
Soldering Temperature (Iron)
(2,3,4)
T
SOL-I
240 for 5 sec
°
C
Soldering Temperature (Flow)
(2,3)
T
SOL-F
260 for 10 sec
°
C
Collector Emitter Voltage
V
CE
30
V
Emitter Collector Voltage
V
EC
5
V
Power Dissipation
(1)
P
D
100
mW
ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
°
C unless otherwise speci
fi
ed)
Parameter
Test Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Peak Sensitivity
λ
PS
Θ
—
880
—
nM
Reception Angle
—
±25
—
Deg.
Collector Emitter Dark Current
V
CE
= 1 mA
= 10 V, E
e
= 0
I
CEO
BV
—
—
100
nA
Collector-Emitter Breakdown
I
C
I
E
CEO
30
—
—
V
Emitter-Collector Breakdown
= 100 μA
BV
ECO
5
—
—
V
On-State Collector Current
QSE122
(5)
E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V
I
C(ON)
3.0
—
12.0
mA
Saturation Voltage
(5)
E
e
= 0.5 mW/cm
2
, I
C
= 0.1 mA
V
CE(SAT)
—
—
0.4
V
Rise Time
I
C
= 1mA, V
CC
= 5V, R
L
= 100
t
r
—
8
—
μs
Fall Time
t
f
—
8
—
μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QSE123 SIDELOOKE PHOTOTRANSISTOR
QSE133 PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE133 SIDELOOKE PHOTODARLINGTON
QSE157 OPTOLOGIC⑩
QSE156 OPTOLOGIC⑩
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
QSE122_Q 功能描述:光電晶體管 3mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
QSE123 制造商:QT 制造商全稱(chēng):QT 功能描述:SIDELOOKE PHOTOTRANSISTOR
QSE133 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Darlington Sidelook RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
QSE133_TF 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Photodarlington IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bulk
QSE156 功能描述:光IC傳感器 LOGIC DETECTOR RoHS:否 制造商:Honeywell 產(chǎn)品:Photo IC 通道數(shù)量:1 輸出類(lèi)型:10 KOhms Pull-up, Inverter 工作電源電壓:4.5 V to 16 V 電源電流:12 mA to 15 mA 高電平輸出電流: 上升時(shí)間:60 ns 下降時(shí)間:15 ns 傳播延遲時(shí)間:5 us 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量: 封裝:
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