| 型號(hào)： |
QS6K1TR |
| 廠商： |
Rohm Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
TSMT-6 Package Top
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
2 個(gè) N 溝道（雙）
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門(mén)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
1A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
238 毫歐 @ 1A，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
1.5V @ 1mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
2.4nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
77pF @ 10V
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| 功率 - 最大： |
1.25W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TSMT6
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： |
1638 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
QS6K1DKR
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