| 型號： | QS6K1TR |
| 廠商： | Rohm Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
| 產品目錄繪圖： | TSMT-6 Package Top |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 238 毫歐 @ 1A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 2.4nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 77pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 |
| 供應商設備封裝： | TSMT6 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產品目錄頁面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | QS6K1DKR |