參數(shù)資料
型號(hào)： PZTA55
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/13頁(yè)
文件大?。?/td> 2028K
代理商： PZTA55
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage*
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector-Cutoff Current
Collector-Cutoff Current
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0
60
V
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CEO
I
CBO
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 60 V, I
B
= 0
V
CB
= 60 V, I
E
= 0
60
4.0
V
V
μ
A
μ
A
0.1
0.1
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100 mA, I
B
= 10 mA
I
C
= 100 mA, V
CE
= 1.0 V
100
100
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
0.25
1.2
V
V
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
I
= 100 mA, V
CE
= 1.0 V,
f = 100 MHz
50
MHz
))1
.## 2$
#3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PZTA56 PNP General Purpose Amplifier
PZTA56 PNP general purpose transistor
PZTA63 PNP Darlington Transistor
PZTA63 PNP Silicon Darlington Transistors
PZTA65 PNP Darlington Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PZTA56 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZTA56_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZTA56-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:PZTA56 Series -80 V CE Breakdown -0.5 A PNP General Purpose Amplifier SOT-223
PZTA56T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-223
PZTA63 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Darlington Transistor
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