參數(shù)資料
型號(hào)： PZT3906
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP switching transistor
中文描述： 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： PZT3906
1999 Apr 14
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP switching transistor
PZT3906
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single-sided copper, tinplated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
For other mounting conditions, see “Thermal considerations for SOT223 in the General Part of associated
Handbook”.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-s
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to soldering point
note 1
115
34
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
50
UNIT
I
CBO
I
EBO
h
FE
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
I
E
= 0; V
CB
=
30 V
I
C
= 0; V
EB
=
6 V
V
CE
=
1 V; (see Fig.2)
I
C
=
0.1 mA
I
C
=
1 mA
I
C
=
10 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
100 mA
I
C
=
10 mA; I
B
=
1 mA
I
C
=
50 mA; I
B
=
5 mA
I
C
=
10 mA; I
B
=
1 mA
I
C
=
50 mA; I
B
=
5 mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
5 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
500 mV; f = 1 MHz
I
C
=
10 mA; V
CE
=
20 V; f = 100 MHz 250
I
C
=
100
μ
A; V
CE
=
5 V; R
S
= 1 k
;
f = 10 Hz to 15.7 kHz
nA
nA
60
80
100
60
30
650
300
200
200
850
950
4.5
10
4
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
mV
mV
mV
mV
pF
pF
MHz
dB
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
C
c
C
e
f
T
F
collector capacitance
emitter capacitance
transition frequency
noise figure
Switching times (between 10% and 90% levels);
(see Fig.3)
t
on
t
d
t
r
t
off
t
s
t
f
turn-on time
delay time
rise time
turn-off time
storage time
fall time
I
Con
=
10 mA; I
Bon
=
1 mA;
I
Boff
= 1 mA
65
35
35
300
225
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PZT751T3 TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-261AA
PZTA05 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-223
PZTA42 NPN High Voltage Amplifier(NPN高電壓放大器)
PZTA55 PNP General Purpose Amplifier
PZTA56 PNP General Purpose Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PZT3906,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT3906 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP 0.2A 40V SOT223 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, PNP 0.2A 40V SOT223
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PZT3906_F081 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 40V GP BIPOLR SOT223 SNGL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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