參數(shù)資料
型號： PXTA27
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Darlington transistor
中文描述： 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： PXTA27
1997 May 14
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN Darlington transistor
PXTA27
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
collector cut-off current
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
V
BE
= 0; V
CE
= 50 V
I
C
= 0; V
EB
= 10 V
V
CE
= 5 V; see Fig.2
I
C
= 10 mA
I
C
= 100 mA
I
C
= 100 mA; I
B
= 0.1 mA
I
C
= 100 mA; I
B
= 0.1 mA
I
C
= 100 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 30 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
100
100
100
nA
nA
nA
10000
10000
125
1.5
1.5
2
V
CEsat
V
BEsat
V
BEon
f
T
collector-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
base-emitter on-state voltage
transition frequency
V
V
V
MHz
Fig.2 DC current gain; typical values.
handbook, full pagewidth
0
10
1
60000
20000
40000
MGD837
1
IC (mA)
hFE
10
10
2
10
3
V
CE
= 2 V.
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PDF描述
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