參數(shù)資料
型號(hào)： PTN3500D
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： Maintenance and control device
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO16
封裝： PLASTIC, SO-16
文件頁(yè)數(shù)： 11/15頁(yè)
文件大?。?/td> 115K
代理商： PTN3500D
Philips Semiconductors
Product specification
PTN3500
Maintenance and control device
2001 Jan 17
11
POWER-UP TIMING
SYMBOL
t
PUR1
t
PUW1
NOTE:
1. t
PUR
and t
PUW
are the delays required from the time V
CC
is stable until the specified operation can be initiated. These parameters are
guaranteed by design.
PARAMETER
MAX.
UNIT
Power-up to Read Operation
1
ms
Power-up to Write Operation
5
ms
WRITE CYCLE LIMITS
SYMBOL
t
WR1
NOTE:
1. t
WR
is the maximum time that the device requires to perform the internal write operation.
PARAMETER
MIN.
TYP.
(5)
MAX.
UNIT
Write Cycle Time
–
5
10
ms
Write Cycle Timing
SCL
SDA
8th Bit
Word n
ACK
Stop
Condition
Start
Condition
MEMORY
ADDRESS
t
WR
SW00560
Figure 18.
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