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參數(shù)資料
| 型號： | PSS9013H |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 20 V NPN general purpose transistors |
| 中文描述： | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | PSS9013H |
2004 Aug 10
6
Philips Semiconductors
Product specification
20 V NPN general purpose transistors
PSS9013 series
handbook, halfpage
0.2
1
0.6
MLE094
10
1
1
10
IC (mA)
VBEsat
(V)
10
2
10
3
(3)
(1)
(2)
Fig.10 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
0.2
1
0.6
MLE095
10
1
1
10
IC (mA)
VBEsat
(V)
10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.11 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
0
10
1
0.8
0.4
MLE096
1
10
IC (mA)
VBE
(V)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.12 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 1 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
handbook, halfpage
0
10
1
0.8
0.4
MLE097
1
10
IC (mA)
VBE
(V)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.13 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 100
°
C.
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