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參數(shù)資料
| 型號： | PSS9013H |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 20 V NPN general purpose transistors |
| 中文描述： | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | PSS9013H |
2004 Aug 10
4
Philips Semiconductors
Product specification
20 V NPN general purpose transistors
PSS9013 series
handbook, halfpage
10
10
2
3
MLE086
1
10
10
2
10
3
IC (mA)
fT
(MHz)
Fig.2
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 6 V.
handbook, halfpage
0
(5)
(1)
IC
(mA)
VCE (V)
20
10
0
4
20
8
12
16
MLE087
(6)
(7)
(4)
(3)
(2)
Fig.3
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B
= 140
μ
A.
(2) I
B
= 120
μ
A.
(3) I
B
= 100
μ
A.
(4) I
B
= 80
μ
A.
(5) I
B
= 60
μ
A.
(6) I
B
= 40
μ
A.
(7) I
B
= 20
μ
A.
T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
10
1
200
100
MLE088
1
10
IC (mA)
hFE
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.4
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 1 V.
(1) T
amb
= 100
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
0
10
1
200
100
MLE089
1
10
IC (mA)
hFE
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.5
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= 100
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
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PDF描述 |
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