參數(shù)資料
型號(hào)： PSMN020-150W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS晶體管)
中文描述： 73 A, 150 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： PLASTIC, TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 120K
代理商： PSMN020-150W
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PSMN020-150W
MECHANICAL DATA
Fig.16. SOT429; pin 2 connected to mounting base
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT429 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT429
TO-247
98-04-07
99-08-04
0
10
20 mm
scale
Plastic single-ended through-hole package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-247
SOT429
E
P
A
A1
β
w
M
b
1
2
3
e
e
b1
b2
c
Q
q
L
Y
R
D
S
L1
(1)
α
UNIT
A1
D
b
E
e
w
S
R
q
Q
P
L
Y
b2
b1
c
L1
(1)
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
β
α
mm
17
°
13
°
6
°
4
°
5.3
4.7
1.9
1.7
2.2
1.8
1.2
0.9
3.2
2.8
0.9
0.6
21
20
16
15
5.45
3.7
3.3
2.6
2.4
5.3
7.5
7.1
0.4
15.7
15.3
16
15
4.0
3.6
3.5
3.3
Note
1. Tinning of terminals are uncontrolled within zone L1.
November 1999
6
Rev 1.000
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PSMN021-100YLX 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:49A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4640pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21.5 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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