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參數(shù)資料
| 型號： | PSMN020-150W |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS晶體管) |
| 中文描述： | 73 A, 150 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 120K |
| 代理商： | PSMN020-150W |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PSMN020-150W
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER
R
th j-mb
Thermal resistance junction
to mounting base
R
th j-a
Thermal resistance junction
to ambient
CONDITIONS
TYP.
-
MAX.
0.5
UNIT
K/W
in free air
45
-
K/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
V
GS(TO)
Gate threshold voltage
CONDITIONS
V
GS
= 0 V; I
D
= 0.25 mA;
MIN.
150
134
2.0
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP. MAX. UNIT
-
-
-
-
3.0
4.0
-
-
-
6
12
20
-
56
2
100
0.05
10
-
500
227
-
46
-
91
-
34
-
79
-
233
-
101
-
3.5
-
4.5
-
7.5
-
V
V
V
V
V
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1 mA
T
j
= 175C
T
j
= -55C
R
DS(ON)
Drain-source on-state
resistance
Gate source leakage current V
GS
=
±
10 V; V
DS
= 0 V
Zero gate voltage drain
current
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain (Miller) charge
Turn-on delay time
Turn-on rise time
Turn-off delay time
Turn-off fall time
Internal drain inductance
Internal drain inductance
Internal source inductance
V
GS
= 10 V; I
D
= 25 A
m
m
nA
μ
A
μ
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
T
j
= 175C
I
GSS
I
DSS
V
DS
= 150 V; V
GS
= 0 V;
T
j
= 175C
Q
g(tot)
Q
gs
Q
gd
t
d on
t
r
t
d off
t
f
L
d
L
d
L
s
I
D
= 73 A; V
DD
= 120 V; V
GS
= 10 V
V
DD
= 75 V; R
D
= 2.7
;
V
= 10 V; R
G
= 5.6
Resistive load
Measured from tab to centre of die
Measured from drain lead to centre of die
Measured from source lead to source
bond pad
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
Input capacitance
Output capacitance
Feedback capacitance
-
-
-
9537
854
380
-
-
-
pF
pF
pF
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
73
A
-
-
290
A
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 20 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
0.85
1.1
127
1.0
1.2
-
-
-
V
V
ns
μ
C
t
rr
Q
rr
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
November 1999
2
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PSMN038 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PSMN040-200W | N-channel TrenchMOS transistor |
| PSMS05 | STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY |
| PSMS05C | STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY |
| PSMS12 | STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PSMN020-150W,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PSMN020-30MLC | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPA |
| PSMN020-30MLC,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33 |
| PSMN020-30MLCX | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 31.8A 8-Pin LFPAK T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PSMN020-30MLC/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK33 |
| PSMN021-100YLX | 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:49A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4640pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21.5 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 |
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