參數(shù)資料
型號(hào)： PSMN005-55B
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel logic level TrenchMOS transistor
中文描述： 75 A, 55 V, 0.0067 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： PSMN005-55B
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel logic level TrenchMOS
transistor
PSMN005-55B, PSMN005-55P
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
75
A
-
-
240
A
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 20 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
-
-
0.85
1.1
1.2
-
V
V
t
rr
Q
rr
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
-
-
80
0.2
-
-
ns
μ
C
October 1999
3
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PSMN008-75P N-channel enhancement mode field-effect transistor
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參數(shù)描述
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PSMN005-55P 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN005-55P,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN005-75B 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology.
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